锴威特(688693)异动列表

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2026年03月 30
公告
拟收购晶艺半导体+第三代半导体+功率器件+功率IC 1、2026年3月28日公告,公司拟发行股份及支付现金收购晶艺半导体100%股权并配套募资,构成重大资产重组,标的公司主营功率半导体,与公司同属Fabless模式,具有协同效应。 2、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 3、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 4、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 5、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2025年07月 01
半导体
网传国家集成电路产业投资基金三期将重点支持处于被视为制约技术进步的“卡脖子”领域中的本土企业和项目。
第三代半导体+功率器件+功率IC 1、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 2、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 3、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年12月 20
科技
美国国防部已将中微公司、IDG资本从CMC清单中移除
第三代半导体+功率器件+功率IC 1、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 3、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 3、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年10月 24
科技
习近平总书记在安徽合肥滨湖科学城,察看近年来安徽省重大科技创新成果集中展示,提及推进中国式现代化,科技要打头阵。
第三代半导体+功率器件+功率IC 1、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 3、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 3、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年10月 18
科技
习近平总书记在安徽合肥滨湖科学城,察看近年来安徽省重大科技创新成果集中展示,提及推进中国式现代化,科技要打头阵。
第三代半导体+功率器件+功率IC 1、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 3、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 3、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年10月 08
半导体产业链
机构称,受益政策支持、周期反转、增量创新、国产化多方面利好带动,半导体芯片有望迎来估值重塑。
功率器件+功率IC+第三代半导体 1、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 2、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 3、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年07月 19
科技
面对制裁,科技自主可控引发市场热议
功率器件+功率IC+第三代半导体 1、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 2、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 3、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年06月 20
科创板
证监会19日提出强化科创板“硬科技”定位,更大力度支持并购重组,研究适时推出科创50指数期货期权等措施。
功率器件+功率IC+第三代半导体 1、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 2、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 3、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年06月 18
泛科技
1—5月,中国集成电路出口4447亿元,同比增长25.5%,出口恢复向好,行业需求逐渐复苏。2024年6月12日媒体盘前讯,英伟达、AMD等大厂AI芯片热销,先进封装产能供不应求,业界传出,台积电南科嘉义园区新厂开始采购设备。
功率器件+功率IC+第三代半导体 1、在功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品。 2、在功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 3、在第三代半导体方面,公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。 4、公司加大SiC MOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,已与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。
2024年06月 17
其他
功率器件+新能源+智能机器人 1、公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。公司的主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结MOSFET、SFGMOS 系列等。 2、公司基于自主专利技术开发出的 650V等电压平台的多种 TGBT 器件,已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩等客户。 3、公司应用于工业级及汽车级领域的产品实现了国产化替代,基于自主专利技术开发出的 Si2C MOSFET 器件通过多个客户验证并进入批量状态,可以用于新能源汽车车载充电机等领域。 4、公司产品可以应用于以智能机器人等为代表的人工智能领域。
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